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太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 10

太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發(fā)電領域，由于多晶硅電池片成本較低，其市場占有率已躍居首位，但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構化多晶硅表面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各向同性酸腐制絨技術的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶硅太陽能電池的生產工序中，同時成本最低，因而在大規(guī) 模的工業(yè)生產中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.126xa.cn），現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

花籃/片盒清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05

花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒（Foup片盒）三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產能：每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產能：每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開口片盒（Foup片盒）清洗產能：每小時18組前端開口片盒（Foup片盒）適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程或是同時4組花籃和片盒，或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換旋轉籠內的可旋轉載體方便加載或卸載花籃和片盒通過控制系統(tǒng)對自鎖裝置的檢測，達到安全加載片盒和花籃，及其運行特征和優(yōu)點可應用不同化學品（稀釋劑）來清洗泵傳輸清洗液計量調整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置熱水一般由廠務供應 — 標準化或有一個體積約100升的熱水預備槽（循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預備槽—選項）籠子帶有可變速旋轉的控制的高扭矩伺服電機（按照加載量和設備配置，最大旋轉速度200rpm,）旋轉的不銹鋼籠子會自動停止工作（運行過程中出現失衡狀態(tài)時）熱空氣干燥頂端吹下熱空氣采用根據設備待機和工藝運行模式的可調風量的風扇裝置不銹鋼架上裝有加熱器，可以溫度控制軟件監(jiān)控溫度帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制觸摸屏安裝在前面—標準化也...

RCA濕法腐蝕清洗機設備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

RCA濕法腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設備名稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機使用對象硅晶片2-12inch適用領域半導體、太陽能、液晶、MEMS等設備用途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備主體構造特點1. 設備包括：設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體：設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；4.骨架：鋼骨架+PP德國勞施領板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲物區(qū)：位于工作臺面左側，約280mm寬，儲物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險；8.管路系統(tǒng)：位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的...

片盒清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 19

片盒清洗機-華林科納CSE 設備概況：主要功能：本設備主要手動/自動搬運方式，通過對片盒化學液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱：片盒清洗機設備型號：CSE-SC-N259整機尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設備非標定制）操作形式：手動設備組成該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備描述此裝置是一個手動的處理設備；設備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；主體材料：德國進口 10mmPP 板，優(yōu)質不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；臺面板為德國 10mm PP 板；DIW 管路及構件采用日本進口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質要求；采用國際標準生產加工，焊接組裝均在萬級凈化間內完成排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸照明安全考慮：1. 設有 EMO(急停裝置)2. 強電弱點隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設備排風口加負壓檢測表5. 設備三層防漏漏盤傾斜漏液報警設備整體置于防漏托盤內更多的花籃和片盒清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.126xa.cn），現在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費的片盒清洗機解決方案。

CDS自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

自動供液系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

晶棒腐蝕機

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 13

設備名稱：晶棒腐蝕機---CSE產品描述： ●此設備自動化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置,CDS系統(tǒng)，抽風系統(tǒng),電控及操作臺等部分組成; ●進口優(yōu)質透明PVC活動門（對開/推拉式），保證設備外部環(huán)境符合勞動保護的相關標準，以保證設備操作人員及其周圍工作人員的身體健康; ●機械臂定位精度高; ●整體設備腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠; ●設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作. ●非標設備，根據客戶要求具體定制，歡迎詳細咨詢！更多半導體清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.hlcas.com），現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

酸堿腐蝕機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 14

2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下 3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置（排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計）將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外（室外排放遵守國家環(huán)保要求），避免擴散到室內；?●排風通道內設有風量導流板，從而使排風效果達到最佳；?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個)，排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體；?●排風口處設有手動調節(jié)風門，操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量；3.2設備防護門：?●本體前方安裝有防護隔離門，隔離門采用透明PVC板制成，前門可以輕松開合，在清洗過程中，隔離門關閉，以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水；?●給排水排廢接頭均為活性連接；?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程， ?●人機界面為觸摸屏，接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能，各工作位過程完成提前提示報警，觸摸屏選用優(yōu)質產品；?●觸摸屏加鎖定，以防非授權人員修改或設定參數；?●所有電控部分需獨立封閉，帶抽風系統(tǒng)，獨立的配電柜?●設備照明：設備其它部位--低電壓燈，根據工作需要可控照明；?●設備整體采取人性化設計，方便操作；并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置，保證性能安全可靠；電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線，電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護，可防水耐腐蝕；?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護，免受腐蝕；?●設備具有良好的接地裝置；

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行業(yè)新聞：湖南國科投資100億建常州集成電路生態(tài)產業(yè)園

近日，常州集成電路生態(tài)產業(yè)園項目正式簽約落戶武進國家高新區(qū)，計劃聚集全球一流的算法、芯片、固件、軟件、測試、工藝等研發(fā)團隊入駐。市委書記汪泉出席并講話。據了解，該項目總投資100億元，總規(guī)劃面積約500畝。湖南國科控股有限公司將在武進國家高新區(qū)組建系列芯片研發(fā)公司，主要從事驅動芯片、可信計算、國密安全、多媒體芯片、通訊、人工智能等芯片設計業(yè)務。同時，在國家大基金對常州集成電路產業(yè)的支持下，國科控股將引進其投資、參股的芯片公司或生態(tài)企業(yè)，牽頭成立可信計算聯(lián)合實驗室和院士工作站，聯(lián)合有關單位成立數字版權保護（DRM）研發(fā)、測試中心，打造4K內容管理和運營服務產業(yè)基地。汪泉在致辭中表示，集成電路是新一代信息技術產業(yè)的核心，是新時期推進經濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性、先導性產業(yè)。目前，常州正在推進智慧城市、智能制造產業(yè)發(fā)展，而集成電路是智慧城市和智能制造的大腦。我國在集成電路產業(yè)領域和歐美等發(fā)達國家存在較大差距，必須加快推進國內在集成電路領域的自主創(chuàng)新和自主產業(yè)的發(fā)展。汪泉說，作為國家信息技術產業(yè)布局的集成電路設計企業(yè)，國科承擔了眾多國家重點科研項目，填補了眾多研發(fā)空白。企業(yè)此次在武進布局集成電路生態(tài)產業(yè)園，是加快集成電路生態(tài)產業(yè)發(fā)展的重大舉措，為國家發(fā)展戰(zhàn)略作出貢獻。對常州、武進而言，可以彌補在集成電路領域的發(fā)展短板，有助于地方拓展延伸集成電路的完整產業(yè)鏈，形成常武地區(qū)新的發(fā)...

發(fā)布時間: 2018 - 04 - 23

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半導體行業(yè)新聞關注: 材料工程技術獲突破，將影響中國半導體設備研發(fā)

[關鍵詞：半導體設備]半導體設備商應用材料（Applied Materials）日前宣布，材料工程獲得技術突破，能在大數據與人工智能（AI）時代加速芯片效能。應用材料表示，20 年來首樁晶體管接點與導線的重大金屬材料變革，能解除 7 納米及以下晶圓工藝主要的效能瓶頸，由于鎢（W）在晶體管接點的電性表現與銅（Cu）的局部終端金屬導線工藝都已逼近物理極限，成為 FinFET 無法完全發(fā)揮效能的瓶頸，因此芯片設計者在 7 納米以下能以鈷（Co）金屬取代鎢與銅，藉以增進 15% 芯片效能。目前中國半導體設備以蝕刻、薄膜及 CMP 發(fā)展腳步最快，此部分將以打入主流廠商產線、取得認證并藉此建立量產數據為目標，朝向打入先進工藝的前段晶體管工藝之遠期目標相當明確，然而相較國際主流半導體設備廠商的技術水平，中國半導體設備廠商仍是追隨者角色，因此鈷取代鎢和銅的趨勢確立，將影響中國半導體設備廠商尤其是蝕刻、薄膜及 CMP 的研究發(fā)展方向。（出自：拓墣產業(yè)研究院）更多半導體設備相關新聞可以關注南通華林科納半導體設備公司 www.126xa.cn 18913575037

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 03

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新聞關注：華潤微電子入駐重慶西永微電園將打造全國最大的功率半導體基地

近日，華潤微電子（重慶）有限公司揭牌暨戰(zhàn)略合作備忘錄簽約活動在西永微電園舉行?，F場，華潤微電子控股有限公司、重慶市經信委、重慶西永微電子產業(yè)園區(qū)開發(fā)有限公司簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將致力于將華潤微電子（重慶）有限公司打造為全國最大的功率半導體基地，促進重慶市集成電路產業(yè)發(fā)展。據悉，華潤微電子控股有限公司是國內唯一純國資、全產業(yè)鏈，并實現產品設計自主、制造過程可控的微電子企業(yè)。隨著央企間產業(yè)重組整合全面展開，去年11月6日，經國務院國資委批復，同意將中航航空電子系統(tǒng)有限責任公司所持中航（重慶）微電子有限公司股權，劃轉給華潤微電子控股有限公司。在此背景下，去年12月28日，華潤微電子（重慶）有限公司正式揭牌成立。據悉，本次整合在中國半導體產業(yè)發(fā)展史上創(chuàng)造了三項第一：央企間微電子業(yè)務的第一次重組；國內半導體產業(yè)關鍵戰(zhàn)略資源（8英寸晶圓生產線）的第一次整合；國內分立器件產品和業(yè)務規(guī)模最大的一次整合。整合后，華潤微電子控股有限公司的功率器件業(yè)務將占國內市場份額的6.5%。根據簽約，華潤微電子（重慶）有限公司成立后，將設立國家級功率半導體研發(fā)中心、建設國內最大的功率半導體制造中心，同時完善上下游產業(yè)鏈等。協(xié)議的簽署，不僅能將晶圓制造升級擴產，還將帶來從原材料制造、IC設計到封裝測試的完整產業(yè)鏈條，帶動重慶集成電路產業(yè)基地升級。（出自：重慶日報）更多半導體、集成電路、MEMS器件等...

發(fā)布時間: 2018 - 01 - 11

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新聞關注：2018年內存更加供不應求降價已無可能

2018年內存更加供不應求降價已無可能據集邦咨詢（TrendForce）公布的最新調查報告，進入第四季度后，三星、SK海力士、美光這三大DRAM顆粒巨頭都已經基本規(guī)劃好了明年的路線圖，資本支出都趨于保守，意味著大規(guī)模產能擴張已經不可能，甚至制程工藝前進的腳步也會緩慢下來。畢竟，商人都是以賺錢為目的的，DRAM大廠明年的首要目標就是獲得持續(xù)而且穩(wěn)定的利潤，價格則要至少維持在今年下半年的水平。集邦咨詢估計，2018年DRAM產業(yè)的供應增幅只會有大約19.6%，是近幾年的一個地點，而市場需求增幅將有20.6%，也就是說整個市場供需關系會更加緊張。從需求端看，勢頭強勁的主要是手機內存容量提升，以及服務器/數據中心的巨大缺口，而供給端方面，產能吃緊自然需要新建工廠，但建設一座300毫米晶圓廠至少一年，再加上設備投入和調試，即便現在行動，效果出來也要到2019年了。關鍵是，2018年三大廠商的晶圓產能增幅預計只有區(qū)區(qū)5-7%，主要來自現有產能的重新分配和制造工藝的升級。具體廠商方面，三星電子的產能增加空間很有限，目前月均DRAM晶圓產能平均為39萬塊，而能擴充的工廠只有Line 17和一部分Line 15，因此三星計劃在韓國京畿道平澤市新建第二座300毫米DRAM晶圓廠。SK海力士同樣受困于產能不足：M10工廠較老無法轉入18nm，改而做代工去了；M14工廠規(guī)格高于最初計劃，預計年底可達8萬...

發(fā)布時間: 2017 - 10 - 23

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華林科納關注熱點：2017年全球晶圓代工市場規(guī)模將達550億美元

2017年全球晶圓代工市場規(guī)模將達550億美元關鍵詞：晶圓、晶圓硅片清洗機晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。據了解，截止2016年12月，全球折合成8寸晶圓的產能為每月1711.4萬片；其中中國大陸全球市場占有率接近11%，相比2015年上升了1.1個百分點，僅次于臺灣、韓國、日本和北美。臺灣、韓國、日本是主要的晶圓產地，晶圓產能占全球晶圓產能的59.3%。臺灣、韓國、日本是主要的晶圓產地，占比達59.30%，而大陸產能占比為10.80%。而南通華林科納CSE一直致力于開發(fā)生產半導體晶圓清洗設備，其制造的晶圓硅片清洗機、甩干機、單片清洗機等設備廣受業(yè)界好評。從供給端來看，2016年中國地區(qū)晶圓制造產能僅占全球10.8%，而消費市場占全球33%，中國半導體市場供需關系嚴重失衡。另據了解，2016年全球晶圓代工工廠營業(yè)收入前十排名分別是臺積電、格羅方德、聯(lián)華電子、中芯國際、力晶半導體、TowerJazz、世界先進、華虹宏力、Dongbu HiTek和X-Fab。其中，前四大晶圓代工廠為臺積電、格羅方德、聯(lián)華...

發(fā)布時間: 2017 - 10 - 09

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關注新聞：半導體產能投放驅動裝備及材料業(yè)迎黃金發(fā)展期

【南通華林科納CSE-導讀】“在新需求驅動下，國產半導體裝備（制造業(yè)）正進入黃金發(fā)展期?！苯眨谀暇╅_幕的2017中國集成電路產業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上，北方華創(chuàng)總裁趙晉榮表示。據統(tǒng)計，至2020年，全球計劃新建的晶圓廠項目中，有逾四成將落戶中國，帶來巨大投資機會。本文關鍵詞：半導體裝備; 集成電路; 晶圓廠; 移動互聯(lián)網催發(fā)了芯片市場的持續(xù)增長，新建晶圓廠的熱潮正在給半導體設備制造商，尤其是國內制造商帶來新機遇。資料顯示，新建一條年產5萬片的最先進12英寸晶圓生產線需投資450億元，其中設備投資占75%以上。據統(tǒng)計，到2020年，全球將新建62座晶圓廠，其中26座落戶中國，占比高達42%，這給國內半導體裝備制造商帶來了機遇。 “到2020年，僅芯片前端設備的市場規(guī)模就將達到300億美元至400億美元?！敝形雽w董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯預計，中微半導體從事的刻蝕和化學薄膜設備將有良好的市場前景?！拔覀兘y(tǒng)計，2016年到2020年，國內共有998億美元總投資，半導體設備投資為748億美元。其中，等離子體刻蝕設備投資大約為134.7億美元，中微的刻蝕機可以分得相當大的份額。” 另據趙晉榮介紹，北方華創(chuàng)的半導體裝備包括14納米邏輯工藝裝備解決方案、8/12英寸先進封裝工藝裝備解決方案、6/8英寸微機電系統(tǒng)（MEMS）/化合物...

發(fā)布時間: 2017 - 09 - 29

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關注熱點：全球晶圓設廠備支出再創(chuàng)新高

【南通華林科納CSE--導讀】SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast)，指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示，在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產線當中，有30座晶圓設備支出超過5億美元。SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast)，指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示，在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產線當中，有30座晶圓設備支出超過5億美元。2017年晶圓設備支出(含全新與整新)預計將成長37%，創(chuàng)下550億美元的最新年度支出紀錄。SEMI同時也預測2018年晶圓設備支出成長率將再度攀升5%，同時也將再次寫下580億美元的新紀錄。SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，先前最高的支出紀錄是2011年創(chuàng)下的400億美元。按目前情勢來看，2017年支出預估將比該數字高出大約150億美元。若依2017年各地區(qū)支出金額來看，全球最高的是韓國，從2016年的85億美元成長至2017年的195億美元，高達130%的年成長率。根據全球晶圓廠預測報告，2018年韓國依然將是全球晶圓設備支出最強勁的地區(qū)，而中國也將晉升至第二名，達到125億美元(年成長率66%)。此外，美洲、日本、歐洲/中東等地預料也將達到二位數成長，其他地區(qū)則將繼續(xù)維持在10%以下。全...

發(fā)布時間: 2017 - 09 - 28

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半導體產能投放驅動裝備及材料業(yè)迎黃金發(fā)展期--CSE

【華林科納-CSE導讀】“在新需求驅動下，國產半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?！?月26日，在南京開幕的2017中國集成電路產業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上，北方華創(chuàng)(28.94 +1.51%,診股)總裁趙晉榮表示?！霸谛滦枨篁寗酉拢瑖a半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?！?月26日，在南京開幕的2017中國集成電路產業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上，北方華創(chuàng)(28.94 +1.51%,診股)總裁趙晉榮表示。據統(tǒng)計，至2020年，全球計劃新建的晶圓廠項目中，有逾四成將落戶中國，帶來巨大投資機會。移動互聯(lián)網催發(fā)了芯片市場的持續(xù)增長，新建晶圓廠的熱潮正在給半導體設備制造商，尤其是國內制造商帶來新機遇。資料顯示，新建一條年產5萬片的最先進12英寸晶圓生產線需投資450億元，其中設備投資占75%以上。據統(tǒng)計，到2020年，全球將新建62座晶圓廠，其中26座落戶中國，占比高達42%，這給國內半導體裝備制造商帶來了機遇。“到2020年，僅芯片前端設備的市場規(guī)模就將達到300億美元至400億美元?！敝形雽w董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯預計，中微半導體從事的刻蝕和化學薄膜設備將有良好的市場前景。“我們統(tǒng)計，2016年到2020年，國內共有998億美元總投資，半導體設備投資為748億美元。其中，等離子體刻蝕設備投資大約為134.7億美元，中微的刻蝕機可以分得相當大的...

發(fā)布時間: 2017 - 09 - 27

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行業(yè)新聞關注

最新新聞匯總1.先進半導體委任CEO洪沨為執(zhí)行董事；2.浙江金瑞泓全面建成8英寸硅片規(guī)?；a線；3.藍思周群飛：3D曲面玻璃放量增長機會來臨；4.侵權門再添一員！三星Gear VR涉嫌盜用專利；5.三星大規(guī)模擴增產線面板、半導體設備廠商喜獲訂單；6.可撓式OLED面板市場規(guī)模將超越硬式OLED 蒸鍍設備廠受惠最多 1.先進半導體委任CEO洪沨為執(zhí)行董事；先進半導體發(fā)布公告，于2017年5月16日舉行的公司周年股東大會批準委任洪沨為第五屆董事會執(zhí)行董事，任期由2017年5月16日至2019年3月1日。洪沨博士自 2017 年 2 月 6 日起被委任為公司首席執(zhí)行官。根據洪沨博士與該公司簽定首席執(zhí)行官之委任的合同，期限自 2017 年 2 月 6 日至 2020 年 2 月 5 日。根據該合同，洪將獲得每年幣 2,112,768 元人民幣的薪水，按每月幣 176,064 元人民幣的數額支付。洪博士亦能獲得由董事會決定高達幣 683,838 元人民幣的年度變動工資，以及獎金，該部分乃基于洪博士的表現由該公司支付。此外，洪博士亦能獲得每年最高不超過 500,000 元人民幣的住房補貼及子女教育補貼。洪沨博士，1960年生于上海，美國國籍。于1983年獲得復旦大學物理學士學位，于1986年獲得復旦大學電子工程碩士學位，于1993年獲得美國北卡羅萊納州立大學材料科學與工程博士學位...

發(fā)布時間: 2017 - 05 - 18

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南通華林科納CSE關注新聞——硅晶圓前五大供貨商全球市占率達92%

導讀：目前全球硅晶圓已集中在前五大供貨商手中，包括信越半導體、勝高、臺灣的環(huán)球晶、德國的Silitronic、南韓LG等，全球市占率達92％，其中勝高是臺積電最大供貨商，其次是信越，但信越全球市占高達27％，略高于勝高的26％，預料在二大硅晶圓廠下半年采取溫和漲價下...全球前二大半導體硅晶圓廠信越半導體和日本勝高（SUMCO）達成默契，下半年硅晶圓漲幅僅一成，遠低于市場傳言的三成，跌破市場眼鏡。此外，勝高也與臺積電議定四年的供應長約，約定漲幅不會超過四成，凸顯面臨硅晶圓供不應求的情況，全球市占超過五成的日本二大半導體硅晶圓廠決定維持溫和調漲，不希望急漲讓部分停產的小廠死灰復燃。這也是硅晶圓在連二季大漲后，主要供應大廠在價格策略踩煞車，對近期市場傳出下半年再漲三成，且明年再漲一倍的傳言，澆了一盆冷水。臺積電最大硅晶圓供貨商日本勝高，證實對臺積電硅晶圓供應價格不會如外傳般狂飆，而會采取溫和且保證長期供應穩(wěn)定，不會恣意漲價。半導體業(yè)者表示，全球硅晶圓過去因長期處于供過于求，不堪嚴重虧損，部分業(yè)者逐步停產或出售，例如環(huán)球晶近幾年就相繼收購日本CVS和美國的半導體硅晶圓廠。但前年半導體硅晶圓逐趨供需平穩(wěn)，前年下半年一度試著漲價，但短暫調漲一季后就沉寂。去年下半年，市場擔心中國大陸晶圓廠產能開出后硅晶圓恐缺貨，因此大量屯積貨源，導致供需產生缺口，甚至連測試片都缺貨，導致今年首季主...

發(fā)布時間: 2017 - 04 - 25

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