掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 本文報(bào)道了1wt%氫氧化鉀溶液中Si{100}濕蝕刻的蝕刻特性。蝕刻速率隨著溫度在90度以下的升高而逐漸增加 C. 接近沸溫度（100℃）時(shí)蝕刻速率低于90℃ C. 在1wt%KOH溶液中的最大蝕刻速率約為1µm/min。研究發(fā)現(xiàn)，這個(gè)比率是切實(shí)可行的。然而，微金字塔出現(xiàn)在蝕刻的表面。作為硅各向異性濕法蝕刻的代表性蝕刻液， 使用氫氧化鉀（KOH:毒物）或氫氧化四甲基銨（TMAH:毒物）水溶液。 這次，評(píng)價(jià)了使用1wt%KOH水溶液時(shí)的蝕刻速度及蝕刻表面外觀，把握了加工特性的特征，因此進(jìn)行報(bào)告。 實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)方法蝕刻裝置是將蝕刻槽、加熱器、溫度計(jì)以及攪拌器的表面作為聚四氟乙烯材料，直接浸入液體中的構(gòu)造。 通過該裝置，可以將蝕刻液的溫度控制調(diào)整到±0.2℃以內(nèi)。作為試料，使用了將P型Si{100}晶圓切成1邊1cm的四角形的小片。在芯片上，蝕刻部分形成了1邊約1mm的四角形圖案等。蝕刻前浸入1%HF水溶液中，除去表面的自然氧化膜。之后，進(jìn)行了所希望的時(shí)間的蝕刻。蝕刻完成后，水洗，干燥，用激光顯微鏡評(píng)價(jià)蝕刻深度，用光學(xué)顯微鏡評(píng)價(jià)蝕刻表面外觀。蝕刻液使用1wt%K...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c)將氮化硅暴露于蝕刻物質(zhì)，以相對(duì)于襯底上的其他含硅材料選擇性地蝕刻氮化硅。硅源可以提供給襯底上游的等離子體。在一些實(shí)施例中，硅源被提供給遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器中的等離子體。替代地或附加地，硅源可以被提供給襯底和容納襯底的腔室的前端之間的等離子體。硅源可以在容納襯底的室的噴頭處或附近提供給等離子體。 硅源可以包括兩個(gè)或多個(gè)硅源。在各種實(shí)施例中，硅源是固體。硅源的例子包括含硅化合物，例如石英、硅、硅鍺、碳化硅和氧化硅。在一些實(shí)施例中，硅源是包括硅的適配器環(huán)。在一些實(shí)施例中，硅源是包括硅的氣體擴(kuò)散器。襯底可以容納在包括噴頭的腔室中，噴頭可以包括硅。在一些實(shí)施例中，硅源附著到等離子體發(fā)生器的壁上。 在各種實(shí)施例中，硅源是硅源，并且可以是含硅化合物。例如，進(jìn)入容納襯底的腔室的氣體總流量的至少約0.5%(體積)可以是硅源。流體硅源的例子包括硅烷、乙硅烷、四氟化硅、四氯硅烷、正硅酸乙酯和四甲基硅烷。實(shí)驗(yàn) 進(jìn)行了...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進(jìn)行的。事實(shí)上，與通常的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí)，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示，以及評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。 實(shí)驗(yàn) 這里測(cè)試的所有聚合物都是248納米深紫外線商用光敏抗蝕劑。選定的濕蝕刻劑取決于要蝕刻掉的材料。SC1(標(biāo)準(zhǔn)清潔1)在室溫下以1 / 4 / 27的比例(NH4OH / H2O2 / H2O)用于蝕刻TiN膜。測(cè)試的氮化鈦薄膜厚度為7納米，由PVD公司沉積。氫氟酸或BOE(緩沖氧化物蝕刻劑)用于二氧化硅。BOE比是1 / 7 / 160 (HF / NH4F / H2O)，在樣品中僅使用了熱氧化物。濕法蝕刻系統(tǒng)由300毫米旋轉(zhuǎn)干燥單晶片工具或浸沒式批量工具組成。非接觸C (V)(電容(電壓))測(cè)量在來自Semilab的FAaST工具上進(jìn)行。 結(jié)果和討...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料半導(dǎo)體器件的制造是在半導(dǎo)體襯底或其它襯底上形成特征的多步驟過程。步驟可以包括材料生長(zhǎng)、圖案化、摻雜、沉積、蝕刻、金屬化、平坦化等。形成在襯底上的特征可以包括各種晶體管。晶體管可以是平面的或非平面的，也可以有單柵極或多柵極。非平面晶體管(有時(shí)稱為3D晶體管)包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。這種非平面晶體管通常包括垂直取向的或者用作源極和漏極之間的溝道的凸起鰭片。柵極也是垂直定向或凸起的，并且位于鰭片上方(鰭片頂部和鰭片側(cè)壁周圍)。這種非平面晶體管可以具有多個(gè)鰭和/或多個(gè)柵極。平面晶體管也具有相關(guān)的高度，盡管非平面特征的相對(duì)高度通常大于平面晶體管的相對(duì)高度。半導(dǎo)體器件的制造通常包括放置隔離物和/或虛擬材料，以幫助構(gòu)造給定的特征設(shè)計(jì)，包括非平面晶體管上的特征。為了改善柵極功能，通常在非平面晶體管上指定側(cè)壁隔離物。隨著晶體管柵極的尺寸繼續(xù)縮小，柵極和觸點(diǎn)之間以及柵極和源極/漏極面之間的邊緣電容已經(jīng)增加。為了抵消邊緣電容的增加，低k介電材料被用作隔離材料。間隔物的成功受到間隔物蝕刻工藝的影響，該工藝可以影響間隔物的介電常數(shù)以及間隔物覆蓋圖1是各種襯底上保護(hù)層生長(zhǎng)的橫截面示意圖 圖2是示出根據(jù)本文公開的實(shí)施例的蝕刻技術(shù)的曲線圖 圖3是這里描述的示例方法的流程圖 包括增加材料間蝕刻選擇性的方法。這里的技術(shù)包括氮化硅(SiN)隔離物和硅(例...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。光掩模是涂有金屬層的透明陶瓷襯底，該金屬層形成電子電路的圖案。在集成電路的制造過程中，薄膜通常用于密封光掩模使其免受顆粒污染，從而隔離和保護(hù)光掩模表面免受來自光掩模圖案焦平面的灰塵或其他顆粒的影響。為了以高成品率生產(chǎn)功能性集成電路，光掩模和薄膜需要無污染。光掩模的污染可能發(fā)生在光掩模本身的制造過程中，也可能發(fā)生在光掩模的使用過程中集成電路制造過程中的光掩模，特別是光掩模加工和/或處理過程中的光掩模40。一種類型的污染是光掩模表面的有機(jī)/分子污染。光掩模表面上的有機(jī)/分子污染物，例如化學(xué)污漬或殘留物，降低并降低了透射率特性45和/或光掩模的特性，最終影響被制造的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。光刻過程中影響集成電路質(zhì)量的另一種污染是微粒污染。顆粒污染物可以包括任何小顆粒，例如灰塵顆粒，它們可以在光掩模上或者夾在光掩模和薄膜之間。光刻過程中投射的是從光掩模表面剝離光刻膠。類似于集成電路器件的制造，在光掩模的制造過程中，光致抗蝕劑被施加到光掩模的表面，并且光和/或紫外線輻射以期望的電路圖案被施加到光掩模表面。在光掩模制造過程中和作為集成電路維護(hù)的一部分，光掩模的制作和清潔10個(gè)晶圓廠。常規(guī)方法使用硫酸和過氧化氫的高溫混合物(“SPM”)來在第二步中剝離...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 超臨界二氧化碳(COC)由于其低成本、低毒性、不燃性和環(huán)境可接受性，已被確定為各種精密清潔應(yīng)用中氟氯化碳的有前途的溶劑替代品。本文介紹了最近使用COC作為清洗溶劑的經(jīng)驗(yàn)，以將該技術(shù)應(yīng)用于商業(yè)實(shí)踐。 超臨界流體在精密清洗中的應(yīng)用源于過去十年該技術(shù)的發(fā)展。超臨界流體的新的溶劑特性，特別是二氧化碳，已經(jīng)在食品、制藥和石油工業(yè)中得到商業(yè)利用。最近，超臨界流體技術(shù)已被商業(yè)應(yīng)用于從工業(yè)廢水中提取有害有機(jī)化學(xué)品。目前，二氧化碳正被用于多種精密清潔應(yīng)用，第一批商用系統(tǒng)正在運(yùn)行中。 實(shí)驗(yàn) 典型的一氧化碳清洗過程是使用多個(gè)清洗容器作為間歇操作或半連續(xù)過程進(jìn)行的。典型的間歇系統(tǒng)由兩個(gè)主壓力容器、一個(gè)清洗室和一個(gè)分離器組成。其他主要設(shè)備包括期間很少或沒有操作員注意清潔周期。在后一種情況下，一組預(yù)編程的操作參數(shù)。針對(duì)正在清洗的材料進(jìn)行了優(yōu)化，可控制過程中的流程示意圖Figure1說明了基本的批量清洗操作。 使用合適的籃子、容器或固定裝置將待清潔的材料裝入清潔室。然后，使用為操作人員和工作環(huán)境設(shè)計(jì)的快速開啟關(guān)閉機(jī)構(gòu)來密封腔室。清潔過程開始于將液態(tài)一氧化碳從儲(chǔ)存容器泵入清潔室，并將清潔室加壓至工作條件。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 隨著超精密加工技術(shù)的發(fā)展，在機(jī)械加工中也需要納米級(jí)的加工控制技術(shù)，從這個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，近年來，利用掃描型探針顯微鏡(SPM)的極微細(xì)加工技術(shù)被廣泛研究1）～5）。為了確立納米級(jí)的機(jī)械加工技術(shù)， 考慮到化學(xué)效果，理解加工現(xiàn)象是重要的研究課題。 實(shí)驗(yàn) 圖1是利用FFM機(jī)制進(jìn)行的極微細(xì)機(jī)械加工（以下稱FFM加工）的概略圖。 圖2是實(shí)驗(yàn)方法的概略圖。首先，使用安裝了加工用懸臂梁的FFM機(jī)構(gòu)，對(duì)單晶硅的拋光面（（100）面，Ra5nm）進(jìn)行正方形領(lǐng)域的凹痕形成加工，其次，用KOH水溶液對(duì)該試料進(jìn)行蝕刻處理。為了提高蝕刻處理后的試料表面的粗糙度，將異丙醇(IPA)作為添加劑混合在蝕刻液中使用。加工條件如表1和表2所示。經(jīng)過一定時(shí)間后，充分進(jìn)行流水沖洗，使表面干燥后，用觀察用懸臂梁對(duì)加工部的變化進(jìn)行AFM觀察。 圖2實(shí)驗(yàn)方法的示意圖 以垂直負(fù)荷789μN(yùn)，加工速度120μm%s進(jìn)行機(jī)械加工的試料表面的AFM觀察像。形成了深度約34nm的凹痕。圖1是用15wt%KOH水溶液進(jìn)行20分鐘蝕刻處理的加工部的AFM觀察像。加工部表面顯示出很強(qiáng)的掩膜作用，其周圍被選擇性地蝕刻。其結(jié)果，殘留形...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 介紹了摩擦力顯微鏡下的懸臂梁對(duì)單晶硅表面（100）正方形進(jìn)行微加工的研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，用氫氧化鉀溶液蝕刻工件后，加工區(qū)域變?yōu)橥雇埂Ａ私饬送姑娴母叨热Q于加工條件，特別是氫氧化鉀溶液的濃度的關(guān)系。為了了解相反的刻蝕處理結(jié)果，采用透射電鏡（發(fā)射電子顯微鏡）和激光拉曼法對(duì)加工表面的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，得到了表面的厚氧化和下劣化。此外，還驗(yàn)證了超聲波清洗結(jié)合刻蝕提高粗糙度和去除殘留物的效率。并應(yīng)用實(shí)驗(yàn)結(jié)果，提出了無掩模形成微結(jié)構(gòu)的方法。 實(shí)驗(yàn) 在加工部位發(fā)現(xiàn)了很強(qiáng)的面罩作用， 發(fā)現(xiàn)了凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)殘留形成的情況。這個(gè)掩膜作用是加工條件， 特別是顯示了對(duì)KOH水溶液濃度的強(qiáng)烈依存，即， 如圖1D所示， 用濃度約20wt%以下的KOH水溶液蝕刻FFM加工區(qū)域后，加工區(qū)域會(huì)有選擇地呈凸?fàn)睿ㄑ诒涡Ч?明確了在20wt%以上的情況下反而變成凹狀（蝕刻促進(jìn)效果）。 通過用濃度不同的KOH水溶液蝕刻FFM加工后的試料，產(chǎn)生掩蔽效果或蝕刻促進(jìn)效果。這表明，在FFM加工區(qū)域的表層存在結(jié)晶性紊亂，與大氣中的氧結(jié)合，化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化的層。因此，為了闡明這兩種相反的化學(xué)效果的機(jī)理，F(xiàn)FM； 對(duì)加工表面層進(jìn)行了結(jié)構(gòu)分析。 圖1氫氧化鉀濃度與結(jié)構(gòu)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 單晶S1， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，還在于通過利用僅可用于單晶的晶體取向的各向異性烯酸，精密地加工出微細(xì)的立體形狀。以各向異性烯酸為契機(jī)的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細(xì)的機(jī)械結(jié)構(gòu)體，進(jìn)而機(jī)械地驅(qū)動(dòng)該結(jié)構(gòu)體，在20世紀(jì)70年代后半期的Stanford大學(xué)，IBM公司等的研究中，這些技術(shù)的總稱被使用為微機(jī)械。在本稿中，關(guān)于在微機(jī)械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù)，在敘述其研究動(dòng)向和加工例子的同時(shí)，還談到了未來微機(jī)械的發(fā)展方向。 實(shí)驗(yàn) 作為用于化學(xué)各向異性蝕刻的蝕刻劑，已知有KOH水溶液、乙烯胺水溶液等1}。當(dāng)使用這些進(jìn)行蝕刻時(shí)，具有輪胎蒙特晶體結(jié)構(gòu)的S1的（111）的蝕刻率與其他晶面的蝕刻率相比顯示出極小的值。例如，在40℃下對(duì)40%KOH水溶液的所有方向的蝕刻率進(jìn)行測(cè)量的結(jié)果如圖1所示2）。用等高線表示布。全方位中表示蝕刻速率的最大值的是（110），表示最小值的是（111）。兩者的蝕刻速率的比約達(dá)到1801.另一方面，S1的氧化膜（S102），氮化膜（S13N4），另外摻雜了大量雜質(zhì)的S1的蝕刻速率與S1相比也非常小。利用這樣的性質(zhì)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?；蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝。清洗工藝在半導(dǎo)體晶片工藝的主要技術(shù)之前或之后進(jìn)行。晶片上的顆粒和缺陷是在超大規(guī)模集成電路制造過程中產(chǎn)生的。控制硅片上的顆粒和缺陷是提高封裝成品率的主要目標(biāo)。隨著更小的電路圖案間距和更高的大規(guī)模集成電路密度，已經(jīng)研究了顆粒和微污染對(duì)晶片的影響，以提高封裝產(chǎn)量。濕法清洗/蝕刻工藝的濕法站配置有晶片裝載器/卸載器、化學(xué)槽、溢流沖洗槽和干燥器。 介紹 本文開發(fā)了多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)，并將其應(yīng)用于濕式站，該系統(tǒng)采用多化學(xué)品同浴工藝。多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)有兩個(gè)化學(xué)品瓶、氣動(dòng)系統(tǒng)、兩個(gè)供應(yīng)泵、電容傳感器、化學(xué)分析儀和可編程邏輯控制器(PLC)單元。為了控制兩種化學(xué)品的濃度，供給泵控制邏輯使用可編程邏輯控制器編程。 實(shí)驗(yàn) 圖1顯示了在三京濕法站中使用的一種槽配置，其中100:1稀釋氫氟酸(DHF)化學(xué)品和去離子水(去離子水)被供應(yīng)到槽中。DHF化學(xué)用于預(yù)擴(kuò)散清洗、預(yù)氧化物剝離和氧化物蝕刻。浴槽由聚四氟乙烯材料制成，過濾器用于過濾...
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