掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在本文中講了HARSE的工藝條件，其產(chǎn)生超過3 微米/分鐘的蝕刻速率和良好控制的、高度各向異性的蝕刻輪廓，還將展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。在用作陽(yáng)極硅襯底的 “光學(xué)工作臺(tái)”示意圖中顯示，混合技術(shù)集成和封裝使用第二光刻步驟，可以在硅中蝕刻出相對(duì)于激光器的精確深度和位置的溝槽，以便被動(dòng)對(duì)準(zhǔn)光纖，此外可以蝕刻晶片通孔，用作正面控制和/或驅(qū)動(dòng)電路的光學(xué)或電學(xué)互連。 圖2圖2展示了其中的幾個(gè)概念，其中一張掃描電鏡照片顯示了同時(shí)蝕刻到約250 微米深度的硅特征，在圖2a中，中心正方形或器件定位器”可用于精確定位混合結(jié)構(gòu)，而溝槽特征可用于電互連或延伸到光纖的晶片邊緣，在圖2b和2c中，高倍掃描電鏡顯微照片顯示了側(cè)壁和場(chǎng)的高各向異性和平滑蝕刻形態(tài)。 圖3為了實(shí)現(xiàn)被動(dòng)自對(duì)準(zhǔn)、蝕刻研究了作為室壓、陰極射頻功率和ICP源功率的函數(shù)的參數(shù)，在圖3中，當(dāng)陰極射頻功率、等離子體源功率和氣體流量保持不變時(shí)，硅蝕刻速率和硅對(duì)光刻膠的蝕刻選擇性顯示為壓力的函數(shù)，通常導(dǎo)致離子能量和等離子體密度的變化，這強(qiáng)烈影響蝕刻性能，隨著壓力增加，表明在較低壓力下反應(yīng)物受限，這種相對(duì)于抗蝕劑的高蝕刻選擇性使得能夠以高縱橫比進(jìn)行深硅蝕刻(通常 600 微米)。蝕刻特性通常表現(xiàn)出對(duì)離子能量和等離子體的強(qiáng)烈依賴密度，離子能量影響蝕刻的物理成分，而等離子體密度可以影響工藝的物理和...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)資料本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-GaN平面比包括a-GaN平面在內(nèi)的其他取向的晶面具有更低的表面粗糙度。還研究了溝道底部的溝槽和斜面(長(zhǎng)方體)，攪動(dòng)無助于長(zhǎng)方體的去除或晶面刻蝕速率的提高。最后，研究了有無紫外光照射下，紫外光對(duì)三甲基氯化銨中m和a-GaN晶面刻蝕速率的影響。因此，發(fā)現(xiàn)用紫外光將m-GaN平面蝕刻速率從0.69納米/分鐘提高到1.09納米/分鐘；在a-GaN平面蝕刻的情況下，紫外光將蝕刻速率從2.94納米/分鐘提高到4.69納米/分鐘。 圖1濕蝕刻法被用來揭示通道側(cè)壁上的晶體平面，制造過程如圖1所示，本實(shí)驗(yàn)采用金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積法(MOCVD)在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長(zhǎng)的7微米厚的氮化鎵外層晶片，這個(gè)正方形樣品的大小是1厘米×1厘米。為此制作了180個(gè)15×2µm2尺寸的手指（圖2）。 圖2制造過程首先是在晶片上沉積一個(gè)1µm厚的二氧化硅(PECVD)層，作為一個(gè)掩模,然后用PMMA9%抗蝕劑進(jìn)行電子束光刻技術(shù),二氧化硅使用CF4/He混合氣體的干蝕刻進(jìn)行蝕刻，將圖案從抗蝕劑轉(zhuǎn)移到二氧化硅掩模,最后，使用TMAH溶液進(jìn)行氮化鎵濕式蝕刻。通過電子束蒸發(fā)沉積的厚度分...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文提出了一種新的硅塊微加工裝置，它利用聚合物保護(hù)涂層ProTEKRB2涂層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬掩模，考慮了不同濃度的氫氧化鉀和浴條件，ProTEKRB2涂層與硅襯底具有良好的粘附性，沒有降解、蝕刻率和表面粗糙度，蝕刻時(shí)間大于180min且不破壞前側(cè)微結(jié)構(gòu)，微懸臂梁也使用兩種不同的工藝流程制造，以證明這種保護(hù)涂層在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)工藝中的適用性。實(shí)驗(yàn)在不同的氫氧化鉀浴條件下進(jìn)行，樣品與水平位置相比，將樣品保持在垂直位置，以便更好地從蝕刻表面排出氫氣泡，并更好地對(duì)樣品進(jìn)行視覺控制，氫氧化鉀蝕刻裝置如圖1。 圖1在沉積ProTEKRB2涂層之前，必須將一種特定的引物自旋應(yīng)用于Si表面，以提高薄膜的粘附性，然后需要在熱盤上以130°C-150°C進(jìn)行軟烤，保護(hù)涂層可以以1000rpm的速度旋轉(zhuǎn)涂在樣品上90秒，然后分三個(gè)步驟進(jìn)行硬烘烤：150°C 2min，170°C 2min，225°C 1min。這些步驟需要達(dá)到聚合物的最佳穩(wěn)定性和粘附性，從而避免在氫氧化鉀蝕刻過程中出現(xiàn)不必要的剝離，在這些條件下，涂層的平均厚度為12微米。濕蝕刻后，樣品清洗如下：首先應(yīng)用特定的去除液約20-40min，使保護(hù)層溶解，然后為了完全去除，必須分別在3：1的硫酸和過氧化氫溶液中進(jìn)行額外的“食人魚”蝕刻，持續(xù)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文展示了一種低成本的基于化學(xué)鎳/金碰撞下金屬化(UBM)的晶圓級(jí)碰撞工藝，用于所有翻轉(zhuǎn)芯片互連技術(shù)，如板上的翻轉(zhuǎn)芯片或封裝的翻轉(zhuǎn)芯片，這在今天的工業(yè)中使用。在下一個(gè)千年的晶圓制造中實(shí)施的化學(xué)鎳碰撞的兼容性表明，這是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，不僅是今天使用的晶圓技術(shù)，特別是下一代的晶圓技術(shù)，包括300毫米晶圓和銅墊。 圖1圖1顯示了一批并行處理的晶片。12英寸晶圓的化學(xué)碰撞可以節(jié)省特定的成本，特別是由于標(biāo)準(zhǔn)工藝的12英寸設(shè)備需要照片成像，這需要昂貴的步進(jìn)和12英寸的濺射和電鍍?cè)O(shè)備。與此相反，低成本的化學(xué)過程鎳/金碰撞需要特殊的晶圓碰撞罐，是一種特殊的成本節(jié)約，因?yàn)榕c標(biāo)準(zhǔn)的電鍍工藝相比，投資成本降低了5-10倍，在FC組件中，Ni/Au凸起實(shí)現(xiàn)了以下功能，它們保護(hù)鋁，作為一個(gè)附著力層和擴(kuò)散屏障，保證與鋁綁墊穩(wěn)定可靠的接觸，除此之外，這主要是一個(gè)UBM的功能。圖2顯示了作為各向異性傳導(dǎo)連接劑的化學(xué)鎳/金(ACF)翻轉(zhuǎn)芯片組裝的基礎(chǔ)，用于聚合物翻轉(zhuǎn)芯片組裝（導(dǎo)電粘合劑），以及使用不同焊料合金的焊接和直接芯片連接類型的應(yīng)用，化學(xué)鎳/金碰撞是一種濕化學(xué)和無掩蔽的過程。隨著制造工藝的發(fā)展，所有類型的晶圓都可以與優(yōu)質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)工藝相結(jié)合，在一種特殊設(shè)計(jì)的碰撞線晶片中，可以鍍上直徑從4英寸（100毫米）到12英寸（300毫米）的材料。 圖2為了滿足晶圓碰撞的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料我們研究了在碳化硅襯底上生長(zhǎng)的外延氮化鎵層的選擇性濕式化學(xué)蝕刻，結(jié)果表明，由于這些蝕刻劑中氮化鎵溶解的一些特征，根據(jù)蝕刻坑的數(shù)量來測(cè)定位錯(cuò)密度可能是錯(cuò)誤的，在熱正磷酸中引入al3+或fe3+離子可以優(yōu)化蝕刻工藝，結(jié)果消除了蝕坑的合并，并減少了連接到生長(zhǎng)表面缺陷的蝕坑數(shù)量，而不是氮化鎵的缺陷。 圖1圖1顯示了在熱純磷酸中蝕刻3分鐘的外延氮化鎵層上拍攝的掃描電鏡顯微照片（在熔融氫氧化鉀中蝕刻得到了類似的結(jié)果），可以看出，蝕刻導(dǎo)致氮化鎵樣品表面形成六邊形的蝕刻坑，然而這些坑沒有光滑的墻壁，相反墻壁有由平行于基平面組成的平面組成的梯田，這些梯田沿著地表擴(kuò)展，超出了坑的邊界，導(dǎo)致了坑的合并。通常，選蝕的最佳條件包括保持兩個(gè)溶解速率之間的比例?n?t，在熔融氫氧化鉀和純熱磷酸中氮化鎵蝕刻過程中，??條件并不持續(xù)，這似乎是這些蝕刻劑的主要缺點(diǎn)，因此我們可以得出這樣的結(jié)論：當(dāng)使用氫氧化鉀和熱磷酸暴露位錯(cuò)氮化鎵增長(zhǎng)6H-SiC，合并的影響會(huì)導(dǎo)致一個(gè)錯(cuò)誤估計(jì)位錯(cuò)密度時(shí)，因?yàn)榭梢姷奈g刻坑的數(shù)量可能不對(duì)應(yīng)實(shí)際的缺陷的數(shù)量。結(jié)果表明，通過在蝕刻劑中加入額外的藥劑，即Me離子，可以優(yōu)化選擇性蝕刻的過程，氯化鋁（氯化鐵）的飽和水溶液中的離子引入到蝕刻劑中，當(dāng)使用磷酸和氯化鋁或氯化鐵水溶液，體積比為5：1時(shí)，效果最好，結(jié)果我們得到了壁光滑的清晰蝕刻坑。我們還發(fā)現(xiàn)，這種...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在電鍍行業(yè)，為了實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和質(zhì)量的穩(wěn)定，積極引進(jìn)了電鍍自動(dòng)化設(shè)備，對(duì)企業(yè)的現(xiàn)代化也起到了很大的作用。在電鍍中，以被電鍍物為陰極進(jìn)行電鍍，試著對(duì)離子電鍍進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，對(duì)濕式電鍍的特征進(jìn)行了如下重新認(rèn)識(shí)：（1）作業(yè)性容易，可以目視處理的過程，由于不需要減壓、密閉等特殊容器，物品進(jìn)出容易，處理過程可見；（2）平滑化，回轉(zhuǎn)等功能，通過向電鍍?cè)≈屑尤脒m當(dāng)?shù)奶砑觿?，可以獲得該功能，并且可以簡(jiǎn)化用于裝飾用途的電鍍中的拋光工藝，在最近的電鍍技術(shù)中，即使在0.5 mmφ以下的小孔徑內(nèi)也可以進(jìn)行電鍍，作為印刷線路板的通孔電鍍是實(shí)用的；（3）凹部、背面也可以鍍覆，通過設(shè)計(jì)陽(yáng)極和輔助電極，可以在物品的正面，背面或管道的內(nèi)表面進(jìn)行電鍍；（4）加工對(duì)象面積廣，降低成本，通過選擇與物品的形狀、數(shù)量相適應(yīng)的電鍍方法（電鍍?cè)?、靜止法、旋轉(zhuǎn)法等），可以降低處理成本；（5）成膜效率高，在電鍍中，根據(jù)金屬的電化學(xué)當(dāng)量和電鍍?cè)〉碾娏餍剩梢酝贫婂兯俣?，在離子鍍中，除了物品以外，裝置內(nèi)表面也同樣有膜的堆積，造成損失。在濕法電鍍中，每經(jīng)過一個(gè)電鍍槽、反應(yīng)槽都有一個(gè)水洗工序，如果其清洗廢水處理不當(dāng)，會(huì)污染放流水域。另一方面，降低毒害物質(zhì)含量的低濃度處理液和公害因素少的電鍍?cè)〉拈_發(fā)研究盛行，作為表面處理技術(shù)，有一段時(shí)期被迫退步。該產(chǎn)品的高附加值化，引進(jìn)了離子鍍技術(shù)，為了賦予眼鏡架褐色～金色的色...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文是關(guān)于對(duì)濕法刻蝕藍(lán)寶石襯底的晶體結(jié)構(gòu)和形貌演變的透徹理解，發(fā)光二極管器件對(duì)于揭示蝕刻機(jī)制和生產(chǎn)改善氮化鎵基性能的優(yōu)化功率穩(wěn)定器至關(guān)重要。關(guān)于以往濕式蝕刻條件下的CPSS樣品的結(jié)晶學(xué)和地形演化進(jìn)行互補(bǔ)的SEM和AFM 特性。使用2英寸c面藍(lán)寶石晶片制備CPSS圖案，六邊形對(duì)稱的圓柱形光刻膠陣列通過標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝直接制作在c面藍(lán)寶石上，單個(gè)圓柱體的直徑和高度分別為2.1 微米和2.5 微米，使用圓柱形光致抗蝕劑陣列作為蝕刻掩模對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行電感耦合等離子體(BCl3/H2)蝕刻，以產(chǎn)生與光致抗蝕劑陣列具有相同周期性的錐形圖案，用于濕法蝕刻測(cè)試的尺寸為10毫米× 10毫米× 0.4毫米的CPSS樣品是從2英寸的晶片上切割下來的。由于普通玻璃器皿無法承受高溫下的濃酸侵蝕，用于濕法蝕刻的燒杯、提籃、蓋板和熱電偶保護(hù)管都是用高純度石英砂定制的；石英燒杯的尺寸為70毫米× 100毫米，壁厚為4毫米，石英提籃，即一個(gè)L形石英部件，由石英處理?xiàng)U和槽板組成，最多可容納12個(gè)樣品。燒杯反應(yīng)器的示意圖如圖1所示。 圖1我們采用了特殊的雙蓋板設(shè)計(jì)，通過在加熱和蝕刻過程中用重疊的蓋板蓋住燒杯口，將蒸發(fā)引起的蝕刻劑損失降至最低，便于在特定時(shí)間方便地移除/重新進(jìn)入承載籃(和樣品)，而無需移除大蓋板。大蓋板尺寸為80 毫米 &...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料表面紋理化是通過增加光捕獲來提高硅基太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的方法之一，采用含異丙醇(IPA)和水合肼的氫氧化鈉（氫氧化鈉）堿性蝕刻溶液對(duì)p型硅（100）表面進(jìn)行各向異性紋理，用反射光譜儀研究了蝕刻晶片的光學(xué)性能，用掃描電鏡(SEM)對(duì)其進(jìn)行了表面形貌研究，并且研究了氫氧化鈉濃度對(duì)蝕刻晶片的影響，通過應(yīng)用最佳濃度的堿性溶液（氫氧化鈉）得到了表面反射率的最佳值。采用電阻率范圍為1-35Ωcm的高摻雜p型硅（100）晶片作為襯底，實(shí)驗(yàn)在厚度為250微米的正方形樣品(20mm×20mm)上進(jìn)行，在蝕刻之前，使用傳統(tǒng)的RCA方法對(duì)硅表面進(jìn)行化學(xué)清洗，以去除表面上的顆粒物，采用該方法，將底物依次在1：1：5的NH4OH：按體積)H2O2：H2O中浸泡10分鐘，HF1：50（按體積）H2O20s，然后在鹽酸：過氧化氫：水的1：1：6（按體積）中浸泡10分鐘，然后用去離子水(DI)清洗樣品。用兩步化學(xué)蝕刻工藝制備了硅錐體結(jié)構(gòu)：在第一步，將硅襯底浸于異丙醇（丙醇）、氫氧化鈉和水合肼的混合物中，在85°C下浸泡1小時(shí)；第二步，將樣品浸泡在室溫下的氯化氫(鹽酸，0.1M)中24h，在硅的紋理形成過程中，羥基離子（OH-）與兩個(gè)硅懸垂鍵結(jié)合，硅氧鍵使兩個(gè)硅背鍵變?nèi)?，因此，形成了氫氧化硅配合物，?jīng)過這個(gè)過程，形成了單硅酸。 圖2蝕刻表面的形貌與溫...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言無電沉積技術(shù)是一種重要的非導(dǎo)電材料金屬化方法。與其他方法(化學(xué)氣相沉積/PVD、等離子噴涂或電沉積)相比，這也是在陶瓷或聚合物材料上生成薄金屬膜的最簡(jiǎn)單方法之一。它被發(fā)現(xiàn)對(duì)幾個(gè)微技術(shù)組件的互連應(yīng)用非常有用。電致發(fā)光提供高選擇性，允許自對(duì)準(zhǔn)沉積，從而節(jié)省光刻步驟。ED方法也非常通用，可以生產(chǎn)多組分薄膜。此外，許多金屬和合金可以生產(chǎn)出高質(zhì)量的薄膜。ED的其他優(yōu)點(diǎn)是:金屬純度高，工作溫度低，平面形貌，成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。處理的目的是為金屬原子沉積產(chǎn)生成核點(diǎn)。電鍍前的處理過程包括四個(gè)階段:(I)酸性洗滌劑(去除有機(jī)物和指紋污染)，(ii)粗化步驟(使陶瓷的致密表面變得粗糙，以增加沉積金屬膜對(duì)陶瓷的粘合強(qiáng)度)，(iii)活化(錫、鈀催化劑)。通過比較在陶瓷表面上進(jìn)行處理前后的接觸角來驗(yàn)證處理的效果。然后，在氧化鋁陶瓷上進(jìn)行銅和鎳的電化學(xué)沉積，并用掃描電子顯微鏡評(píng)價(jià)沉積膜的形貌。 實(shí)驗(yàn)圖1顯示了使用表面處理和ED工藝在氧化鋁顆粒上無電沉積銅的示意圖。表面處理過程包括清洗、粗化、活化和后活化四個(gè)階段。 圖1 銅在表面氧化鋁粒子上的沉積示意圖 表面處理后，使用化學(xué)鍍鎳-磷和銅溶液。鎳和銅溶液含有:離子源、還原劑、絡(luò)合劑、緩沖劑和穩(wěn)定劑。鎳和銅的沉積溫度分別為400和300℃，而鎳的Ph值為5、8...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文研究了化學(xué)預(yù)處理對(duì)硅表面質(zhì)量和紋理均勻性的影響，結(jié)果表明，為了更好的紋理均勻性，鋸晶片的初始硅表面應(yīng)處理以清除有機(jī)和金屬污染，然后去除有機(jī)溶劑痕跡并看到損壞的硅層蝕刻，對(duì)光致發(fā)光衰減的額外測(cè)量證實(shí)了由a-si：H鈍化的紋理晶片的高質(zhì)量和均勻性，本文研究了表面制備對(duì)硅片紋理均勻性的影響。采用光學(xué)顯微鏡、蔡司光學(xué)顯微鏡和光學(xué)CIS掃描儀進(jìn)行初級(jí)表面表征，表面掃描為所有樣品提供了相同的明亮和對(duì)比度設(shè)置，為了揭示受損硅層的存在，在紋理化100nm的a-Si：H后用牛津等離子體設(shè)備將其沉積在每個(gè)硅表面，然后進(jìn)行光致發(fā)光(PL)衰變測(cè)量。此外，硅中的PL衰減密切地反映了少數(shù)載流子的動(dòng)力學(xué)，可用于局部壽命值的估計(jì)，采用圖2所示的實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行了二維PL衰減時(shí)間的測(cè)量。 圖2在樣品1的表面，未進(jìn)行預(yù)處理(圖3a)，存在一些局部不均勻的區(qū)域，主要是由于漿液鋸切的影響，在20%氫氧化鉀之前的紋理處理中，去除10m的損傷層，減少了不均勻性的數(shù)量(圖3b)，不含IPA的濃縮加熱氫氧化鉀溶液導(dǎo)致硅表面窒息。包括用來去除有機(jī)污染的四氯化碳→IPA清洗階段，導(dǎo)致了紋理化后硅表面的不均勻性的增加(圖3c)，這可能是由于有機(jī)溶劑從粗糙的切割硅片表面去除的困難，有機(jī)物的痕跡會(huì)影響局部硅蝕刻速率，從而導(dǎo)致紋理形成后的不均勻性(圖4b)，其中小金字塔沿著大金字塔形成。這種金...
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