電鍍是國民經(jīng)濟(jì)中不可缺少的行業(yè),但歷來也是重度污染行業(yè)。凸點(diǎn)電鍍是最近發(fā)展起來的新型電鍍技術(shù),是將傳統(tǒng)電鍍技術(shù)應(yīng)用于微電子微細(xì)加工領(lǐng)域的典型范例。近年來,蓬勃發(fā)展的MEMS電鍍以及超大規(guī)模集成電路銅布線電鍍等高新技術(shù),代表電鍍這門古老的工業(yè)技術(shù)正迅速向高技術(shù)含量、高精度、高可靠性方向邁進(jìn)。與傳統(tǒng)電鍍技術(shù)一樣,凸點(diǎn)電鍍過程也面臨非常嚴(yán)峻的環(huán)境問題,比如氰化物鍍金、含鉛電鍍、節(jié)能節(jié)水、三廢排放與處理等,一旦處理不好,將會對環(huán)境產(chǎn)生巨大危害。本文主要探討在芯片凸點(diǎn)電鍍過程中應(yīng)用清潔生產(chǎn)技術(shù)的考慮和措施。芯片凸點(diǎn)的典型加工流程目前,比較典型的凸點(diǎn)制作工藝流程主要包括焊料凸點(diǎn)制作和金凸點(diǎn)制作。焊料凸點(diǎn)制作工藝流程:清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點(diǎn)→劃片分割→成品。金凸點(diǎn)制作工藝流程:清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→等離子清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。一般來說,凸點(diǎn)制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點(diǎn)工藝還使用金錫、錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。凸點(diǎn)電鍍配方及施鍍方式目前,凸點(diǎn)電鍍中會涉及氰化物電鍍、含鉛電鍍等問題。就施鍍方式而言,可能會涉及電鍍、化學(xué)鍍,以及物理沉積等。首先,...
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金屬層的形成主要采用物理汽相沉積(Pysical Vapor Deposition，簡稱PVD)技術(shù)，主要有兩種PVD技術(shù)：蒸發(fā)和濺射。蒸發(fā)是通過把被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫(接近其熔點(diǎn))時(shí)的飽和蒸汽壓，來進(jìn)行薄膜沉積的；而濺射是利用等離子體中的離子，對被濺射物體電極（也就是離子的靶）進(jìn)行轟擊，使汽相等離子體內(nèi)具有被濺鍍物的粒子（如原子），這些粒子沉積到硅片上就形成了薄膜。鋁是用于互連的最主要的材料之一，因?yàn)殇X的價(jià)格相對低廉，并且鋁能夠很容易和二氧化硅反應(yīng)形成氧化鋁，這促進(jìn)了二氧化硅和鋁之間的粘附性。在生產(chǎn)中采用電子束蒸發(fā)工藝淀積鋁膜，大致步驟為：圓片在清洗液中清洗干凈后浸入HF溶液中去除表面的氧化層，去離子水沖洗后離心甩干；將圓片裝上行星盤，把行星盤裝回蒸發(fā)臺后就可以開始根據(jù)程序淀積薄膜，可以根據(jù)需要覺得是否對蒸發(fā)的圓片襯底加熱。已經(jīng)完成前道工序并且表面已經(jīng)氧化光刻，送入正蒸間進(jìn)行表面金屬化，具體步驟如下：一、前處理清洗：對應(yīng)不同的產(chǎn)品有不同的清洗方式泡酸：將圓片浸入5%的HF溶液中浸泡20S左右，然后沖水后甩干。對于肖特基產(chǎn)品采用1%的HF溶液浸泡30S。泡酸后的圓片在2小時(shí)之內(nèi)必須正蒸，否則要重新泡酸（防止放置過長時(shí)間產(chǎn)生氧化層）。 二、正面蒸鋁將泡酸完的圓片裝在行星盤上，放入蒸發(fā)臺中，按照程序進(jìn)行蒸發(fā)淀積。蒸發(fā)的鋁層的厚度一般根據(jù)芯片功率的大小來確定，從1...
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一、前處理檢驗(yàn)完成后送入背蒸間，蒸發(fā)工序接收圓片時(shí)要檢查片子表面有無異常情況，特別是鋁層有無減薄現(xiàn)象、中測針跡的深度等，檢驗(yàn)合格后進(jìn)行前處理。（1） 清洗：各種圓片在減薄后，背面蒸發(fā)前都要清洗，步驟如下：1、一槽：ABZOL溶液，加熱至（55±5）℃，加超聲；2、二槽：ABZOL溶液；3、三槽：甲醇，目的是去除ABZOL溶液；4、四槽：甲醇；5、溢流槽：沖水，去除甲醇；6、厚度大于200μm 的片子在離心甩干機(jī)中甩干，角片有隱裂和厚度小于200μm 的片子用甲醇脫水后在氮?dú)夂嫦浜娓?。?） 泡酸：對于減薄片用5%的HF水溶液，對于噴砂片用冰乙酸：氟化銨=1：3的氟化銨溶液。泡酸后必須充分沖水，使硅片上的酸液在極短的時(shí)間內(nèi)沖走，以免部分酸液停留在引線孔內(nèi)或中測點(diǎn)上導(dǎo)致部分地方過腐蝕。將片架放到離心甩干機(jī)中甩干。角片沖水后經(jīng)甲醇脫水后在氮?dú)夂嫦渲泻娓?。?） 金砷工藝背蒸前處理：清洗同前，泡酸步驟為：1、背面單面泡5%的HF溶液16s左右；2、沖純水；3、甩干。金砷蒸發(fā)在背面蒸發(fā)專用金砷工藝蒸發(fā)臺中進(jìn)行，金源要使用有坩堝套的。 二、背蒸背蒸是在離子束蒸發(fā)臺中進(jìn)行，背蒸工藝根據(jù)背面金屬化結(jié)構(gòu)來命名，具體工藝如下：工藝名稱工藝方法材料名J方式五層工藝（1.2-1.6）μmVNiAuGeAuGeSbAuS方式四層工藝（2.4-3.0）μmTiNiSnCuSnCuSnCuA...
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—華林科納 網(wǎng)絡(luò)部對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，經(jīng)歷過2015年的產(chǎn)業(yè)大整合之后，整個(gè)產(chǎn)業(yè)競爭格局已經(jīng)發(fā)生了深刻的變化，2016年將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“拐點(diǎn)”。今年大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依舊保持高速增長的格局，主要是受惠于大陸市場持續(xù)進(jìn)行進(jìn)口替代，為本土企業(yè)帶來發(fā)展空間。 而且12寸晶圓、8寸晶圓廠的生產(chǎn)線與制程技術(shù)模組和IP核心的開發(fā)，為智慧電網(wǎng)、智慧交通、智慧家居等物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的集成電路產(chǎn)品，提供有力的支撐，以及外資企業(yè)加大在大陸投資的規(guī)模，而更重要的是中國大陸政府政策的扶植，如《中國制造2025》、十三五規(guī)畫等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng)。 就集成電路制造業(yè)而言，全球12寸晶圓廠產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移已成定局，中國現(xiàn)有的12寸晶圓廠產(chǎn)能總計(jì)共42萬片/月，其中包括中芯國際（北京）、中芯國際（上海）、SKHynix、Intel（大連）、武漢新芯、Samsung、華力微電子，而2016-2018年中國新增的12寸晶圓廠總產(chǎn)能將高達(dá)63.50萬片/月，占全球12寸晶圓廠的產(chǎn)能比重將由2016年的10%攀升至2018年的22%?！ ∥磥碇袊?2寸廠的產(chǎn)能將足以左右全球半導(dǎo)體市場，另一方面也代表中國半導(dǎo)體勢力的崛起，各國紛紛向中國祭出合作、插旗的策略，期望搶攻未來的商機(jī)。 其中值得一提的是，2016-2018年中國新增的12寸晶圓廠產(chǎn)能中將包括來自于臺灣的臺積電、聯(lián)電、力晶，各于廈門、南京、合肥等地設(shè)...
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—蘇州華林科納網(wǎng)絡(luò)部6月8日下午，總投資達(dá)30億美元的德科碼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式在南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)奠基，將建設(shè)8寸晶圓廠2座、12寸晶圓廠1座，以及封裝測試廠、設(shè)備再制造廠、科研設(shè)計(jì)中心和配套生活區(qū)等。此前的3月28日，總投資同為30億美元的臺積電南京項(xiàng)目簽約落戶江北新區(qū)。兩大“30億美元級”的世界領(lǐng)先企業(yè)先后投資南京，在帶給中國大陸最先進(jìn)生產(chǎn)工藝的同時(shí)，也將填補(bǔ)南京市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的關(guān)鍵短板，使南京一舉進(jìn)入全國集成電路重點(diǎn)城市第一方陣?？平倘瞬艃?yōu)勢讓南京脫穎而出 臺積電南京項(xiàng)目為臺灣集成電路制造公司獨(dú)資。該公司是全球最大的集成電路晶圓代工制造企業(yè)、全球第三大集成電路企業(yè)，僅次于英特爾和三星?！ 〉驴拼a南京項(xiàng)目則由香港德科碼科技有限公司和以色列塔爾半導(dǎo)體公司共同投資。這兩大項(xiàng)目，以其龐大的規(guī)模和先進(jìn)的技術(shù)，引發(fā)了各個(gè)城市的激烈“爭奪”。南京為何能從眾多競爭城市中脫穎而出?南京的科教人才優(yōu)勢和電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，是這兩家企業(yè)非?？粗氐年P(guān)鍵點(diǎn)。晶圓制造是科技含量非常高的工業(yè)領(lǐng)域，對人才有非常高的需求?！ 〖涌齑箨懢A制造追趕世界先進(jìn)水平的腳步 兩大“30億美元級”項(xiàng)目落戶南京，不僅是我市集成電路產(chǎn)業(yè)的大事，也是全國電子信息產(chǎn)業(yè)界的大事，在海內(nèi)外都引起強(qiáng)烈反響。過去一個(gè)時(shí)期，大陸電子信息產(chǎn)業(yè)一直面臨“缺芯少屏”的尷尬。這其中，“屏”指面板，“芯”指芯片。近幾年，大陸液晶面板產(chǎn)業(yè)強(qiáng)...
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華林科納CSE已具備FPD設(shè)備整線配套能力 華林科納（CSE）FPD設(shè)備項(xiàng)目負(fù)責(zé)人—李豐博士表示，CSE已經(jīng)具備了FPD設(shè)備與工藝整線配套能力，并與國內(nèi)某知名企業(yè)簽定戰(zhàn)略合作協(xié)議。近兩年，項(xiàng)目組在平板顯示行業(yè)光電方面進(jìn)行了顯示方案、光電控制、光電測量、光學(xué)鍍膜、光學(xué)膠合、器件產(chǎn)品、工藝工裝、工程試驗(yàn)等產(chǎn)業(yè)化研究，掌握了其核心技術(shù)，并取得多項(xiàng)相關(guān)專利，其中包括大尺寸LED背光模組和新型彩色濾光片，這兩個(gè)器件模組是液晶顯示面板部件及材料成本的60%左右。 華林科納（CSE）愿做FPD顯示設(shè)備國產(chǎn)化的領(lǐng)路人，不斷創(chuàng)新，積極進(jìn)取，為客戶提供一流的設(shè)備，先進(jìn)的工藝和完善的服務(wù)。 公司注重持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)改進(jìn)，目前已擁有發(fā)明專利技術(shù)18項(xiàng)，并多次獲得國家高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定證書，肯定了企業(yè)的整體實(shí)力。CSE始終以高品質(zhì)、高要求、高目標(biāo)為產(chǎn)品技術(shù)理念持續(xù)進(jìn)行以客戶為導(dǎo)向的創(chuàng)新，且與國際上知名公司和中科院蘇州納米所等科研機(jī)構(gòu)建立了良好的合作關(guān)系。10多年以來始終為半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)提供創(chuàng)新的專用的濕法工藝解決方案；以技術(shù)創(chuàng)新為支撐，以精細(xì)管理做保證；以卓越的產(chǎn)品贏得客戶信任，以竭誠的服務(wù)完美品牌形象；以矢志不渝的精神追求國際化，現(xiàn)代化，制造服務(wù)一體化的企業(yè)方向，努力打造成中國半導(dǎo)體設(shè)備高新技術(shù)制造基地。
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華林科納給您解答化學(xué)品CDS系統(tǒng)維護(hù)保養(yǎng)疑難重點(diǎn) CDS系統(tǒng)月、季度、半年、全年維護(hù)哪些方面？換下來的濾芯怎么清洗？是否可以重復(fù)使用不？這些都是硅片的清洗腐蝕設(shè)備在使用時(shí)要考慮到的問題，下面，華林科納就來一一為大家解答。
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清洗設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)廠家華林科納淺談PP、PE廢舊薄膜破碎清洗生產(chǎn)線 蘇州華林科納（CSE）PP、PE廢舊薄膜破碎清洗回收生產(chǎn)線主要由：輸送帶，破碎機(jī)，磨擦清洗機(jī)、沉淀漂洗池、螺旋提升機(jī)、脫水機(jī)，風(fēng)管干燥系統(tǒng)、料倉、控制面板等組成的。 PP、PE廢舊薄膜破碎清洗回收生產(chǎn)線是通過引進(jìn)、消化吸收國際同行業(yè)的先進(jìn)理念和技術(shù)、并結(jié)合當(dāng)今發(fā)展的需求和廢塑料二次應(yīng)用的特性研制開發(fā)而成的。是可以滿足國內(nèi)外對廢塑料再生處理的環(huán)保要求。主要處理的料物是為PE/PP塑料，PE/PP塑料垃圾混雜物，廢舊PP編織袋、、塑料袋，生活垃圾塑料、廢舊農(nóng)膜地膜。整條生產(chǎn)線從開始作業(yè)到成品、是可以非常容易的清洗廢塑料制品。廢臟農(nóng)用薄膜、廢包裝材料或者硬塑料在這里一步步得到處理。整條生產(chǎn)線簡潔而有效的設(shè)計(jì)使得流水線在國內(nèi)外大受歡迎的。 嚴(yán)格按照CE認(rèn)證要求的生產(chǎn)工藝使得機(jī)器的質(zhì)量、安全性更加的可靠。PP、PE薄膜清洗設(shè)備產(chǎn)量：100—1000kg/h。 PP、PE廢舊薄膜破碎清洗回收生產(chǎn)線、PP、PE薄膜破碎清洗設(shè)備、廢舊薄膜清洗回收設(shè)備、廢舊農(nóng)膜地膜清洗設(shè)備、廢舊塑料清洗設(shè)備、廢舊塑料清洗生產(chǎn)線、廢舊塑料清洗流水線專業(yè)生產(chǎn)廠家。
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作為中國光伏行業(yè)主流媒體的MPV《現(xiàn)代光伏》雜志和全球太陽能光伏網(wǎng)在金秋欲交給行業(yè)一份不同的答卷?！癙V TOP 50”自2010年開展以來，一直得到業(yè)內(nèi)的積極參與和支持，已經(jīng)成功地舉辦了四屆。2014年度評選最終榜單于2014年12月18日發(fā)布，并舉行頒獎(jiǎng)典禮?；顒?dòng)始終堅(jiān)持公開、公正、公平的評選原則，評審組委會成員來自國家政府、權(quán)威光伏行業(yè)學(xué)、協(xié)會的專家學(xué)者。為了提高活動(dòng)的透明度和規(guī)范性，評選設(shè)置了公眾投票和專家評審環(huán)節(jié)，整合參選標(biāo)準(zhǔn)、提高評選獎(jiǎng)項(xiàng)含金量。多家行業(yè)媒體對此次評選進(jìn)行全面報(bào)道，多方位的報(bào)道和推廣了CSE蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司。
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---華林科納CSE 小編隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小，對硅片表面的潔凈度及表面態(tài)的要求也越來越高。要得到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過程中造成的表面化學(xué)態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數(shù)。目前，通常應(yīng)用的清洗方法是濕式化學(xué)清洗法，蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司（CSE）多年經(jīng)驗(yàn)專注于半導(dǎo)體濕式清洗工藝解決方案。即利用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學(xué)試劑，配合兆聲、超聲、加熱等物理措施，使有機(jī)物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面，然后用大量的去離子水沖洗，獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種而形成了硅片表面沾污；因?yàn)橛袡C(jī)物會遮蓋部分硅片表面，使氧化層和與之相關(guān)的沾污難以去除。 在濕式清洗工藝中，硅片表面都有一層化學(xué)氧化膜，這層氧化膜是主要的沾污源。如果沒有這層氧化膜可大大降低金屬、有機(jī)物等沾污。可用HF清洗或簡化常規(guī)工藝后最后用HF清洗，可通過降低與周圍環(huán)境的接觸來獲得一個(gè)理想的鈍化表面，減少顆粒吸附在敏感的疏水性表面上。這就對清洗工藝設(shè)備提出了多方面的要求。目前華林科納半導(dǎo)體設(shè)備公司（CSE）的清洗設(shè)備，則是將所有的清洗工藝步驟（清洗和干燥）結(jié)合在一個(gè)工藝槽中，大大地減少了硅片與空氣的接觸。將HF作為最后一道清...
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